Термоэлектрические шайбы с диффузионным барьером

РусТек производит шайбы, полученные из экструдированных стержней толщиной начиная с 0,2 мм. При нанесении покрытия на шайбы применяется специальная технология многослойных диффузионных барьеров (на основе сплавов Ni) для предотвращения проникновения компонентов припоя в полупроводник.

Что касается паячного слоя, нанесенного на диффузионный барьер, который защищает барьер от окисления и обеспечивает хорошее качество пайки, РусТек предлагает два варианта:

• Олово (7 микрон ± 2 микрона)

• Золото (< 0,2 микрона)

H-технология для специальных применений (высокие температуры или интенсивные температурные циклы в модулях) РусТек готов рекомендовать (запатентованную) так называемую H-технологию, где помимо диффузионного барьера из сплавов на основе Ni в многослойный барьер введены толстые слои (около 100 микрон) алюминия.